การศึกษาผลของวัสดุฐานรองต่อการเก็บประจุวงจรอินเทอร์ดิจิทัลแบบฟิล์มบางสำหรับการประยุกต์ใช้งานด้านเซนเซอร์
การวิจัยนี้มีจุดมุ่งหมายเพื่อประดิษฐ์วงจรตัวเก็บประจุอินเทอร์ดิจิเทตแบบฟิล์มบางด้วยวิธี แมกนีตรอนสปัตเตอริ่ง สำหรับกรยุกต์ใช้งานด้านเซนเซอร์ โดยทำการออกแบบและประดิษฐ์วงจรตัว เก็บประจุอินเทอร์ดิจิเทตแบบฟิล์มบางบนวัสดูฐานรองแก้ว ซิลิกอนออกไซด์ พอลิไอมายด์ และโพลีเอ สเตอร์ วัสดุเป้าสปัตเตอร่งใช้คือ Cu/A- การทดสอบการตอบสนองทางไฟฟ้าของวงจรตัวเก็บประจุอิน เทอร์ดิจิทตแบบฟิล์มบางบนวัสดุฐานรองแก้ว ชิลิกอนออกไซด์ พอลิมอร์ และโพลีเอสเตอร์ ประกอบด้วย ค่าความจุไฟฟ้า ค่าความถี่ และค่าอิมพิแดนซ์ การประยุกต์ใช้งานวงจรตัวเก็บประจุอิน เทอร์ดิจิทตแบบฟิล์มบางด้านเชนเชอร์ ได้แก่ เชนเซอร์ตรวจจับโลหะหนัก เชนเซอร์ตรวจจับแร่ธาตุ NPK และเป็นขั้วไฟฟ้าสำหรับวัดปรากฏการณ์สปีนชีเบก ผลการวิจัยพบว่า ค่าความจุไฟฟ้าแบบ อนุกรมมีการแบ่งลำดับความจุไฟฟ้าที่ต่างกันอย่างเห็นได้ชัด โดยฟิล์มบางอินเทอร์ดิจิเทตบนวัสดุ ฐานรองแก้ว ลิกอนออกไซด์ พอลิไอมายด์ และโพลีอสเตอร์ มีค่าความจุไฟฟ้าแบบอนุกรมอยู่ใน ระดับ 0.01-0.05 JF, 0.1-0.4 JF, 0.1-0.4 มF, 1-8 uF และ 0.2-0.8 mF ตามลำดับ ผลการ ประยุกต์ใช้งานฟิล์มบางอินเทอร์ดิจิเทตด้านเชนเชอร์ตรวจจับโลหะหนักตะกั่ว (Pb) ได้บ่งชี้ว่าค่า C, มี ค่าเพิ่มขึ้นตามปริมาณของ Pb ซึ่งมีความสัมพันธ์ระหว่างค่า C, และปริมาณ Pb อย่างมีนัยสำคัญ ผล การประยุกต์ใช้งานเชนเซอร์ตรวจจับแร่ธาตุ NPK โดยที่ย่านความถี่ 5kHz แสดงค่า C, ของปุ้ยแต่ละ สูตรแตกต่างกันสามารถแยกชนิดแร่ธาตุของปุ๊ยแต่ละสูตรได้ สุดท้ายในส่วนการประยุกต์ใช้ฟิล์มบาง อินเทอร์ดิจิเทตเป็นขั้วไฟฟ้าสำหรับกรวัดสมบัติปรากฏการณ์สปีนชีเบกของฟิล์มบาง Fe-Ti-5b (FTS) และ In-Ga-Zn-0 (IGZO) แบบโค้งงอได้ กรวัดสมบัติสปินชีเบกของฟิล์มบางทั้งสองภายใต้ สนามแม่เหล็กที่ -30,000 Oe ถึง 30,000 Oe ฟิล์มบาง FTS มีการเปลี่ยนแปลงของสปีนชีเบกจาก - 10 mV ถึง 10 mV แสดงให้เห็นว่า ฟิล์มบาง FTS เป็นวัสดุสปีนทรอนิกส์เทอร์โมอิเล็กทริก ขณะที่ ฟิล์มบาง IGZO ไม่แสดงค่การเปลี่ยนแปลงของสปีนชีเบก แสดงให้เห็นว่าวัสดุฟิล์มบาง IGZO ไม่ เป็นวัสดุสปืนทรอนิกส์เทอร์โม อิเล็กทริก