ชื่องานวิจัย

การพัฒนาวัสดุเทอร์โมอิเล็กทริกของ Bi2-xMnxTe3-ySey (x=y=0.01, 0.02 และ 0.03) ด้วยวิธี planatary ball mill และอัดร้อน

บทคัดย่อ

การวิจัยเรื่องการพัฒนาวัสดุเทอร์โมอิเล็กทริกของ Mn1-xBixTe2-ySey (x = y = 0.01, 0.02 และ 0.03) ด้วยวิธี planetary ball mill และอัดร้อน มีวัตถุประสงค์ เพื่อสังเคราะห์วัสดุเทอร์โมอิเล็กทริก Mn1-xBixTe2-ySey (x = y = 0.01, 0.02 และ 0.03) ศึกษาโครงสร้างผลึกด้วยเทคนิคการเลี้ยวเบนของรังสีเอ็กซ์ของวัสดุที่สังเคราะห์ได้ วัดสัมประสิทธิ์ซีเบก สภาพต้านทานไฟฟ้า และคำนวณหาค่าแฟกเตอร์สำหรับศึกษาผลกระทบของวัสดุที่เจือปน ในการสังเคราะห์วัสดุเทอร์โมอิเล็กทริกใช้วิธีบอลมิล และอัดร้อน พบว่าได้วัสดุที่มีโครงสร้างผลึกเป็นแบบผสม โดยมีโครงสร้างหลักสอดคล้องกับ MnTe2 (ICDD card No. 00-018-0813) ที่มีโครงสร้างเป็นแบบคิวบิก สภาพต้านทานไฟฟ้ามีค่าลดลงเมื่อเพิ่มจำนวน Bi และ Se ขึ้น Mn0.7Bi0.3Te1.7Se0.3 แสดงค่าสภาพต้านทานไฟฟ้าต่ำสุด 9.6 m cm ที่อุณหภูมิ 330 K ส่วนค่าสัมประสิทธิ์ซีเบกลดลงเมื่อเพิ่มจำนวน Bi และ Se ขึ้น MnTe และ Mn0.9Bi0.1Te1.9Se0.1 มีค่าสัมประสิทธิ์ซีเบกเป็นบวกซึ่งบ่งชี้ว่าเป็นวัสดุเทอร์โมอิเล็กทริกชนิดพี แต่เมื่อเพิ่มจำนวน Bi และ Se มากขึ้นทำให้วัสดุ Mn0.8Bi0.2Te1.8Se0.2 และ Mn0.7Bi0.3Te1.7Se0.3 มีค่าสัมประสิทธิ์ซีเบกเป็นลบบ่งชี้ว่าเป็นวัสดุเทอร์โมอิเล็กทริกชนิดเอ็น และ MnTe แสดงค่าสัมประสิทธิ์ซีเบกสูงสุด 430 V K-1 ที่อุณหภูมิ 330 K ค่าแฟกเตอร์กำลังมีค่าเพิ่มขึ้น เมื่อเพิ่มจำนวน Bi และ Se ขึ้น กล่าวได้ว่า การเจือปน Bi และ Se สามารถเพิ่มประสิทธิ์ภาพทางเทอร์โมอิเล็กทริกของวัสดุ MnTe ขึ้นได้ และ Mn0.7Bi0.3Te1.7Se0.3 มีค่าแฟกเตอร์กำลังสูงสุด 9.48  10-5 W m-1 K-2 ที่อุณหภูมิ 376 K

คำสำคัญ : เทอร์โมอิเล็กทริก, แมงกานีสเทลลูไลด์, แฟกเตอร์กำลัง Thermoelectric, Manganese telluride, Power factor

ชื่อหัวหน้าโครงการวิจัย : ครรชิต สิงห์สุข

ชื่อผู้ร่วมวิจัย : -

เอกสารบทคัดย่อ